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台积电今年资本支出 冲新高

2020-06-28
台积电董事长张忠谋透露将提高今年资本支出,新的金额将大于去年的72.9亿美元(约新台币2,152亿元),极可能超越三星逻辑芯片系统部门(LSI)的73亿美元;这不仅是台积电的新高纪录,更凸显力抗三星的企图。图/经济日报提供台积电年度技术论坛于美国时间17日在旧金山展开,张忠谋亲自出席,他表示,「只要28纳米产能赶紧扩充,台积电最坏情况确定过去。」这项谈话引发法人圈对调高资本支出题材正面解读,昨(18)日台积电上涨1.2元,收盘价重新站上85元。台积电今年原订资本支出60亿美元,与去年相比减少17.7%。但随著28纳米产能告紧,日前已确定会调高资本支出。外资德意志证券预估,可能上调至68亿美元,但张忠谋在科技论坛最新透露,调高后金额将大于去年的72.9亿美元,因而资本支出调升幅度可望超过17.8%,实际金额将于26日公司法说会宣布。值得注意的是,台积电竞争对手之一的三星LSI,因为看好行动装置带来的应用处理器需求,今年资本支出大增至73 亿美元,年增率高达75%,旗下美国德州Austin厂,月产能3万至4万片,几乎是替苹果处理器所预备,也是三星大幅扩充资本支出的主要需求。半导体业者认为,台积电因应28纳米需求,大幅拉高后的资本支出金额可能超越三星,与三星互别苗头的竞争意味浓厚。图/经济日报提供台积电2011年资本支出写下72.9亿美元历史新高,法人圈估计,今年资本支出可能来到73亿至75亿美元,不但超越三星LSI,也将再刷新纪录。台积电两年前就改变经营策略,以高资本支出、高研发拉开与竞争对手的距离。张忠谋此次赴美主持台积电美西技术论坛更强调,台积电今年提高资本支出是因为28纳米产能不够,绝非28纳米良率的考量,目前28纳米良率都在控制中。目前台积电是28纳米唯一量产的晶圆代工业者,高通、辉达、超微都是28纳米主力客户。为解决客户需求,台积电位于中科Fa15第一、二期已投产,第一季台积电12寸月产能约30.4万片,在公司全力扩产下,设备商估计,台积电三座超大晶圆厂预计到今年底可贡献40万片约当12寸晶圆月产能,领先对手三星三至四倍。
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